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IR推新超高速绝缘栅双极晶体管

IR推新超高速绝缘栅双极晶体管   国际整流器公司推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极(IGBT)系列,针对驱动及不间断电源(UPS)应用进行了优化。
  
  全新器件采用IR的场截止沟道超薄晶圆技术,可减少传导和开关损耗。该器件具有10us最小短路时间额定值,与具有低反向恢复电荷(Qrr)的软恢复二极管共同封装,为坚固的工业应用做出了有效优化。
  
  IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“全新1200V沟道IGBT具有极低的Vce(on)和低开关损耗,并带来更高的系统效率及稳固的瞬态效能,从而提高可靠性,使其非常适合恶劣的工业环境。”
  
  这些经过封装的器件适用于从10A到50A的宽泛的电流范围。其他主要性能优势包括高达150°C 的Tjmax、有助于并联的正VCE(on)温度系数,以及能够降低功耗和提升功率密度的低VCE(on)。新器件还可提供裸片形式。
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